Abstract
本發明提供一種增加穿隧磁阻變化率的方法，係以離子佈植的方法以適當的能量對穿隧磁阻元件的阻障層實施金屬離子之植入，藉以利用摻雜的離子輔助穿隧效應來降低穿隧磁阻元件的電阻值，從而增加穿隧磁阻變化率。
- Title
- 增加穿隧磁阻變化率的方法
- Creators - without role
- 志煌 賴 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系志煌 賴 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系楊政翰毛思寧王郁仁
- Identifiers
- 9957787756906774
- Academic Unit
- Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, National Tsing Hua University
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I253648
- Date application
- 04/11/2004