Abstract
本創作係為一種微結構電容，主要由數個含有多孔隙的微結構元件，透過堆疊的手段將各個微結構元件以金屬接合而組成；由於每個多孔隙的微結構元件均利用一基板做為蝕刻終止層，所以可以在蝕刻過程中在此基板的表面形成多個尺寸均一且具有低的深寬比的孔隙，如此，不但可以提高後續鍍膜的良率，更可利用孔隙的三度空間結構增加微結構元件的電容量；透過堆疊而成的微結構電容，可具有結構微小且高電容量的特性。
- Title
- 微結構電容
- Translated title
- Micro-Structure Capacitor
- Creators - without role
- 財團法人工業技術研究院范正宏林宏彝蔡宏營黃戎巖
- Identifiers
- 9957787666506774
- Academic Unit
- Department of Power Mechanical Engineering, College of Engineering, National Tsing Hua University
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- 491400; 191299
- Date application
- 03/09/2001