Abstract
本發明提供一種摻雜型單晶金屬矽化物的奈米線體之製作方法，包含下列步驟：(A)於一減壓環境中提供一實質上由矽所構成的基材；(B)於該基材上形成一含有一鎳層及至少一由一選自於下列所構成之群組的金屬材料所製成的金屬層的金屬膜：鐵、鈷、鉑及此等之一組合，其中，該鎳層厚度與該金屬層厚度的比值是介於100至1/100之間；(C)於該減壓環境內提供一選自於下列所構成之群組的金屬源：鉭源、鎢源及鉬源；及(D)實施一真空退火以製作出該摻雜型單晶金屬矽化物的奈米線體。
- Title
- 摻雜型單晶金屬矽化物的奈米線體之製作方法
- Creators - without role
- 周立人周立人郁倫 闕 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系侯綉芳鄭斯璘
- Identifiers
- 9957787505406774
- Academic Unit
- Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, National Tsing Hua University
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I251628
- Date application
- 16/11/2004