Abstract
一種移除深溝渠結構中半球形晶粒矽之方法，其利用一埋藏矽鍺層做為蝕刻終止層，並以濕蝕刻製程移除半球形晶粒矽。濕蝕刻製程所用之氫氧化鉀/丙酮/水混合液對半球形晶粒矽與埋藏矽鍺層的蝕刻速率選擇性很高，因此在移除半球形晶粒矽時，不會破壞溝渠側壁。此外，利用此法製得之溝渠式電容結構，在半球形晶粒矽層與溝渠下半部之間並沒有蝕刻終止層，故無儲存電容降低的問題。
- Title
- 移除深溝渠結構中半球形晶粒矽層之方法
- Creators - without role
- 茂德科技股份有限公司巫勇賢
- Identifiers
- 9957787650206774
- Academic Unit
- Tsing Hua College
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I227541; I227541
- Date application
- 06/11/2003