Abstract
一種選擇性去除半球狀矽晶粒(Hemispherical Silicon Grain；HSG)層的方法及深渠溝電容器之製法，包括下列步驟：提供一已製備完成墊層結構之半導體基底，其上具有一深渠溝。形成一氧化層於該深渠溝上部開口側壁。形成一半球狀矽晶粒層於該深渠溝底部及側壁。形成一摻雜絕緣層以覆蓋該半球狀矽晶粒層。形成一遮蔽層於該深渠溝下半部一預定深度，並去除該深渠溝上半部之摻雜絕緣層。電漿摻雜該深渠溝上半部之半球狀矽晶粒層以形成一電漿摻雜層；去除該電漿摻雜層而不損傷深渠溝矽基底以完成選擇性去除半球狀矽晶粒層的方法。然後，形成一覆蓋氧化層於該深渠溝上方區域及側壁，進行一熱製程並形成一埋入電極板。