Abstract
本發明係有關於一種量子點摻雜方法，其步驟包括：提供一具有II族元素之第一前驅物溶液與一具有VI族元素之第二前驅物溶液；加熱並混合該第一前驅物溶液與該第二前驅物溶液，以形成複數個量子點晶核分散於一融熔之混合液；以及將一具有VI族元素之第三前驅物溶液與一具有至少一雜質之第四前驅物溶液，於固定間隔時間交替輪流注入該混合液中，其中該雜質係選自一由過渡金屬與鹵素族元素組成之群組，以使量子點晶核包覆多層雜質於外部。本發明之量子點摻雜方法以多層晶體成長法，可將摻雜物有效植入量子點晶體內，提高發光效率。