Abstract
本發明提供一種金氧半場效電晶體之閘極介電層的氮化方法。該金氧半場效電晶體是形成於一半導體基板上。該方法包含以下步驟：(a)於該半導體基板上形成一含有Hf、Al與O的閘極介電層；(b)於該閘極介電層上形成一閘極；(c)於該半導體基板形成相間隔設置的一源極與一汲極；(d)實施含氮電漿離子佈植；及(e)實施退火處理以完成氮化。
- Title
- 金氧半場效電晶體之閘極介電層的氮化方法
- Creators - without role
- 貴術 張廖 - 國立清華大學原子科學院工程與系統科學系傅崇豪貴術 張廖 - 國立清華大學原子科學院工程與系統科學系
- Identifiers
- 9957787783306774
- Academic Unit
- Institute of Nuclear Engineering and Science, College of Nuclear Science, National Tsing Hua University
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I378500
- Date application
- 17/12/2008