Abstract
一種電容介電層之結構及製造方法。此電容介電層結構具有一預定電容結構之基板、一氮化物層形成於預定電容結構的表面上，及一氮氧化物層形成於氮化物層之上，以形成一矽/氮化物/氮氧化物的堆疊結構。其中，氮氧化物層是在濕式氧化製程中加入氧化亞氮進行反應而得，隨後並使用氧化亞氮進行高溫退火處理。此結構不但具有較高的介電常數，更由於使用不含氫之氣體反應，因此可有效降低漏電流。
- Title
- 電容介電層結構及其製造方法
- Creators - without role
- 茂德科技股份有限公司巫勇賢
- Identifiers
- 9957787979806774
- Academic Unit
- Tsing Hua College
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I254448; I254448
- Date application
- 11/12/2003