Abstract
本發明係有關於一種電荷儲存元件及其製造方法，該電荷儲存元件包括：基板，係具有第一表面及相對之第二表面；穿隧絕緣層，係位於基板之第一表面上；電荷儲存層，係位於穿隧絕緣層上，其包括第一介電層及第二介電層，且第一介電層係與穿隧絕緣層連接，而第二介電層係位於第一介電層上，其中，第一介電層與基板間之導電帶差大於第二介電層與基板間之導電帶差；以及阻擋絕緣層，係位於電荷儲存層上，且與第二介電層連接。據此，本發明之電荷儲存元件具有優異之寫入、抹除及電荷保持力特性。
- Title
- 電荷儲存元件及其製造方法
- Creators - without role
- 貴術 張廖 - 國立清華大學原子科學院工程與系統科學系劉注雍劉得強葉宗浩曾培哲蔡秉宏貴術 張廖 - 國立清華大學原子科學院工程與系統科學系
- Identifiers
- 9957787509106774
- Academic Unit
- Institute of Nuclear Engineering and Science, College of Nuclear Science, National Tsing Hua University
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I426610
- Date application
- 22/07/2009