Abstract
一種電阻式記憶體包含一第一電極、一第二電極以及一第一金屬氧化複合層。第二電極與第一電極對應設置。第一金屬氧化複合層設置於第一電極與第二電極之間，第一金屬氧化複合層具有一薄膜層及一奈米柱結構。
- Title
- 電阻式記憶體
- Creators - without role
- 郁倫 闕 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系黃棨歆郁倫 闕 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系
- Identifiers
- 9957787869806774
- Academic Unit
- Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, National Tsing Hua University
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I513074
- Date application
- 08/01/2013