Abstract
本發明係有關於一種電阻式隨機存取記憶體，包括：一底電極；一電阻轉換層，其設置於該底電極上，該電阻轉換層包括一第一轉換層、一第二轉換層、以及一燈絲路徑控制層，其中，該第一轉換層夾置於該底電極及該燈絲路徑控制層之間，該燈絲路徑控制層夾置於該第一轉換層及該第二轉換層之間；以及一頂電極，設置於該第二轉換層上；其中，該燈絲路徑控制層包括一個或複數個微孔。本發明亦有關於一種記憶體陣列，其包含一基板以及複數個如上述之電阻式隨機存取記憶體，其中，該些電阻式隨機存取記憶體設置於該基板上。
- Title
- 電阻式隨機存取記憶體
- Creators - without role
- 郁倫 闕 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系顏文群彭中南郁倫 闕 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系
- Identifiers
- 9957787973706774
- Academic Unit
- Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, National Tsing Hua University
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I493549
- Date application
- 05/03/2013