Abstract
一種非揮發性記憶體的製造方法，此方法係先提供一基底，且於基底上依序形成穿隧氧化層，保護層以及半導體矽化物層。接著，氧化半導體矽化物層以形成氧化矽層，並使半導體矽化物層的半導體成分累積於氧化矽層與穿隧氧化層交界處。然後，進行熱製程，使半導體成分形成多數個半導體奈米結晶。之後，進行氮化製程，使環繞在這些半導體奈米結晶周圍的部分氧化矽層轉變成氮氧化矽。繼之，於氧化矽層上形成閘極，以及於閘極兩側之基底中形成源極/汲極區。
- Title
- 非揮發性記憶體之製造方法
- Creators - without role
- 茂德科技股份有限公司巫勇賢
- Identifiers
- 9957788045406774
- Academic Unit
- Tsing Hua College
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I280668; I280668
- Date application
- 18/10/2004