Abstract
本發明係有關於一種利用非連續曝光方法製作奈米電子元件，其步驟包括提供一具有一導體或半導體薄膜之基材，並塗覆一光阻層於該薄膜上；利用微影技術曝光該光阻層，其中設計之微影圖樣為至少一非連續之量子點、一第一電極圖樣、與一第二電極圖樣，其中該些量子點夾置於第一電極圖樣與第二電極圖樣之間；以及蝕刻該薄膜，以使薄膜形成相連接之一量子島群，該量子島群之二末端分別與第一電極以及第二電極相連接；其中該量子島之寬度大於位於該些量子島兩側之穿遂阻障之寬度。一利用該方法製作之奈米電子元件之結構亦一併揭示。