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Patent
高密度雙晶金屬薄膜的製作方法
郁倫 闕
,
詹宗晟
,
郁倫 闕
and
建能 廖
21/12/2013
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本發明提供一種高密度雙晶金屬薄膜的製作方法,包含以下步驟:(a)於一基板上形成一金屬薄膜,該金屬薄膜是由一具有面心立方晶體結構或一六方密堆積晶體結構的金屬材料所製成;及(b)離子轟擊該設置於一真空腔體中的金屬薄膜;其中,該步驟(b)是在一低於-20℃的工作溫度下實施,且該步驟(b)是在一大於該金屬薄膜之一應變能的離子轟擊能量下實施,以使該金屬薄膜因該大於該金屬薄膜之一疊差能的應變能而產生一塑性變形,並從而於其內部形成形變雙晶。
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Title
高密度雙晶金屬薄膜的製作方法
Creators - without role
郁倫 闕 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系
詹宗晟
郁倫 闕 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系
建能 廖 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系
Identifiers
9957787520606774
Academic Unit
Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, National Tsing Hua University
Language
Traditional Chinese
Resource Type
Patent
Patent
I419985
Date application
11/10/2011
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