Abstract
本發明提供CIGS薄膜太陽能電池的背電極結構，該CIGS薄膜太陽能電池包含基材、背電極、頂電極，及與背電極、頂電極接觸的Cu(Ga1-xInx)(S1-zSez)2化合物薄膜，化合物薄膜在照光時產生光電流，並由背電極與頂電極配合將光電流向外導出運用，特別的是，以原子百分比計，背電極的組成具有大於50%的鉬，及共濺鍍且摻雜濃度不低於34%且能形成緻密金屬氧化物之金屬元素，其中，金屬元素是選自鋁、鉻、鈦、鎂、鉭、鈮、鋯，或鉿，且摻雜濃度以34%~39%較佳，本發明以鉬摻雜特定金屬元素使得背電極的可靠度大幅提升，並展現較佳的反射率與電極的所需特性。